基于氣體絕緣郵政系統（GIS）的特征和發(fā)電機變壓器的結構特征，本文使用波動過程計算軟件和VWTO沖擊電壓分布計算軟件進行計算高壓線圈的垂直絕緣結構（不同的結構），最后決定了線圈的形狀。匝絕緣層的厚度，斷面之間的油道和其他結構參數。變壓器是單相三相發(fā)電機Ii0的發(fā)電機，高壓500 kV真空控制。產品放置在氣體絕緣的水力發(fā)電站（GIS）中。
　　氣系統的經驗表明，當常規(guī)使用隔離開關時，電壓等級大于300 kV的GIS系統將減少波前時間，并產生較高的振蕩頻率。?？焖俚乃矐B(tài)過電壓VFTO（非?？焖俚乃矐B(tài)浪涌）。
　　VFTO不僅會在GIS主電路中引起接地故障，而且還會損壞相鄰設備（例如變壓器）的絕緣。提交給VFTO的眾多電器中，變壓器是VFTO的最大受害者。許多國家的電網中已經出現了由極快的瞬態(tài)過電壓引起的絕緣故障事故[1-5]。某些實際GIS系統產生的VFTO變壓器絕緣擊穿事故的分析和實驗研究結果表明，發(fā)生了VFTO變壓器內部隔離事故。常在靠近線圈的輸入端即前端的那部分線路上。究表明，在VFTO的作用下，塔間梯度電壓對線圈絕緣的破壞最大，實際絕緣破壞的破壞位置和斜率的最大值匝之間出現在變壓器輸入的第一線蛋糕的入口處。最前面，即在一線蛋糕的第一輪之間。此，基于整個產品方面的縱向絕緣計算，本文檔使用波形計算軟件和VFTO垂直絕緣計算軟件。
　　據計算結果計算最終高壓線圈頭繞組的匝間和節(jié)間梯度值。絕緣層進行弱化處理，采取絕緣加強措施，以確保絕緣結構的安全性和可靠性。計算過程中輸入全波和標準閾值的波形：波前時間為1.2微秒，半峰時間為50微秒，零交叉系數為0.3，截止時間在3到6微秒之間。種不同材料（變壓器油，紙，墊和板）的相對介電常數分別計算為2.3、3.2、4.5和4.5。于纏結繞組，電纜特別是高容量高壓繞組的焊接接頭數量眾多，增加繞組數會給纏結繞組帶來很大困難。
　　此，本文內部屏蔽連續(xù)結構的高壓選擇采用四段電橋結構。壓線圈在生產線的中間，上，下側并聯，繞線方向相反，以減少線圈的渦流損耗，確保產品對線圈的電阻。路時，高壓線圈采用自粘換位導體。于高壓線圈的連續(xù)內部屏蔽結構，該文件主要計算高壓線圈頂部的屏蔽段數和屏蔽匝數，最后確定高壓線圈的具體結構。壓。
　　計算波動過程時，電壓的初始分布和最終分布之間的差異就是振蕩過程的自由分量。上圖所示，對于中性點接地的變壓器，如果初始分布與最終分布完全相同，則不會發(fā)生振蕩。于穩(wěn)態(tài)線圈分布定律不變，因此主要通過改善初始分布來改善線圈的梯度分布。
　　過上述公式，可以知道，為了改善脈沖的初始分布，有必要增加縱向電容并減小地面電容。向容量必須均勻分布，并從頭到尾逐漸減小。果容量突然變化，則在轉向區(qū)交界處的線之間的梯度會突然增加。

　　果，減少了DSP-375000 / 500中高壓線圈的數量。數的結構特點和線圈實際纏繞的難度，本文選擇了內部屏蔽的連續(xù)結構。慮到內部屏幕的連續(xù)結構特征，本文檔針對不同的屏蔽段和不同的屏蔽參數提出了總共七個不同的結構。圖顯示，當高壓線圈采用第七種結構時，高壓線圈段之間的最大斜率為7.2％* U0。壓線圈的最小安全系數為1.25，發(fā)生在第一線高壓線濾餅的前十個段之間。表2的計算結果可以看出，當屏蔽線段數超過線段總數的30％，并且每段屏蔽線匝數超過58％時，最大斜率值為減少了高壓線圈，并全面考慮了設計和縱向絕緣的成本。全裕度，本文選擇第四張圖來設計高壓線圈的結構。
　　計算波動過程的基礎上，本文針對第四種方案計算了VFTO下的瞬態(tài)電壓分布，并著重于變壓器線圈第一端的計算。非?？焖俚乃矐B(tài)電壓波進入變壓器時，大部分電壓會落在線路末端附近的一小部分線圈上。此，與變壓器線圈波動過程的計算不同，波動過程的計算以蛋糕為單位建立模型，而VFTO作用線圈則以單電路為單位建立模型。

　　用于較高頻率計算范圍的等效電路模型。據變電站GIS變電站系統的VFTO波形（圖4），計算對象在VFTO作用下的高壓繞組線圈匝間電壓分布。壓器高壓線圈頂部的各匝之間的最大徑向張力和各匝之間的軸向電壓之間的最大伏秒特性曲線如圖2所示。5.頭部的最大旋轉徑向張力為0.297 pu（其中pu是相電壓幅度值的標稱值和1p = = 449kV的主電源頻率），并且最大軸向電壓為頭部旋轉量為0.225 pu。據計算結果，驗證了變壓器匝道的絕緣裕度，最小匝數處的徑向匝數為1.46，軸向隔離匝數與軸向匝數的余量為1.85。

　　據以上計算結果，給定變壓器端口的VFTO波形中的最小產品安全系數為1.46，大于企業(yè)指定的安全裕度。信該產品的隔離結構可以完全滿足VFTO的操作安全要求。特高壓GIS電源系統中，采取了保護措施來抑制變壓器線路末端的VFTO產生（例如，安裝GIS隔離開關和收盤）。
　　于高壓線圈，本文檔使用內部屏蔽的連續(xù)結構來增加縱向電容，電纜并最終確定高壓線圈的結構：4 * 4P4； 6 * 4P3； 4 * 4P2； 4 * 4P1。據變電站GIS變電站系統的VFTO波形，計算對象在VFTO作用下的高壓繞組線圈匝間電壓分布。毒隔離的最小轉彎裕度為1.46，軸向轉彎最小隔離度的裕度為1.85。時，提出了提高變壓器繞組保護的VFTO容量的措施。
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